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Si7655DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
100
80
60
V GS = 10 V thru 3 V
20
16
12
T C = 25 ° C
40
V GS = 2 V
8
20
0
4
0
T C = 125 ° C
T C = - 55 ° C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.5 1.0 1.5 2.0
2.5
0.020
0.016
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
9000
7500
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
C iss
0.012
V GS = 2.5 V
6000
4500
0.008
3000
0.004
0.000
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
1500
0
C oss
C rss
0
20
40
60
80
100
0
4
8 12 16
20
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
1.4
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
8
I D = 20 A
V DS = 10 V
1.3
I D = 20 A
V GS = 10 V
V GS = 4.5 V
1.2
V GS = 2.5 V
6
V DS = 5 V
1.1
4
V DS = 16 V
1.0
0.9
2
0.8
0
0.7
0
30
60
90
120
150
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - Junction Temperature ( ° C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 63617
S12-2393-Rev. B, 15-Oct-12
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
3
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